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Les progrès réalisés dans le domaine des lasers à semi-conducteurs ont profondément transformé le monde, engendrant des améliorations remarquables en termes de performances, d'efficacité opérationnelle et de durabilité. Les versions haute puissance sont de plus en plus utilisées dans un large éventail d'applications, allant des applications commerciales dans la fabrication de lasers, les dispositifs médicaux thérapeutiques et les solutions d'affichage visuel, aux communications stratégiques, terrestres et extraterrestres, et aux systèmes de ciblage avancés. Ces lasers sophistiqués sont à la pointe de plusieurs secteurs industriels de pointe et au cœur de la compétition technologique mondiale entre les grandes nations.
Présentation de la nouvelle génération de barrettes de diodes laser
S'inscrivant dans la tendance aux appareils plus petits et plus efficaces, notre entreprise est fière de dévoiler lesérie refroidie par conductionLM-808-Q2000-F-G10-P0.38-0. Cette série représente un bond en avant, intégrant une technologie de pointe de liaison par coalescence sous vide, de matériau d'interface, de technologie de fusion et de gestion thermique dynamique pour réaliser des produits hautement intégrés, fonctionnant avec une efficacité remarquable et bénéficiant d'un contrôle thermique supérieur pour une fiabilité durable et une durée de vie plus longue.
Pour répondre aux exigences croissantes en matière de concentration de puissance, induites par la miniaturisation généralisée du secteur, nous avons conçu l'unité LM-808-Q2000-F-G10-P0.38-0, une solution novatrice. Ce modèle révolutionnaire permet une réduction spectaculaire du pas des barrettes conventionnelles, passant de 0,73 mm à 0,38 mm, ce qui comprime considérablement la surface d'émission de l'empilement. Capable d'intégrer jusqu'à 10 barrettes, cette amélioration porte la puissance de sortie du dispositif à plus de 2 000 W, soit une augmentation de 92 % de la densité de puissance optique par rapport aux modèles précédents.
Conception modulaire
Notre modèle LM-808-Q2000-F-G10-P0.38-0 incarne l'excellence en matière d'ingénierie, alliant fonctionnalité et compacité pour une polyvalence inégalée. Sa construction robuste et l'utilisation de composants haut de gamme garantissent un fonctionnement fiable et une maintenance minimale, réduisant ainsi les interruptions d'activité et les coûts associés – un atout majeur dans des secteurs comme la fabrication industrielle et la santé.
Pionniers des solutions de gestion thermique
Le dispositif LM-808-Q2000-F-G10-P0.38-0 exploite des matériaux à conductivité thermique supérieure, adaptés au coefficient de dilatation thermique (CTE) de la barre, garantissant ainsi une uniformité et une dispersion thermique optimales. Nous utilisons l'analyse par éléments finis pour prédire et gérer le comportement thermique du dispositif, permettant une régulation précise de la température grâce à une combinaison innovante de modélisation thermique transitoire et permanente.
Contrôle rigoureux des processus
En respectant des méthodes de soudage à l'étain traditionnelles mais efficaces, nos protocoles de contrôle de processus rigoureux assurent une dissipation thermique optimale, préservant ainsi l'intégrité opérationnelle du produit, sa sécurité et sa longévité.
Spécifications du produit
Le modèle LM-808-Q2000-F-G10-P0.38-0 se caractérise par son format compact, son poids réduit, son efficacité de conversion électro-optique supérieure, sa fiabilité robuste et sa durée de vie opérationnelle prolongée.
| Paramètre | Spécification |
| Modèle de produit | LM-808-Q2000-F-G10-P0.38-0 |
| Mode de fonctionnement | QCW |
| Fréquence d'impulsion | ≤50 Hz |
| largeur d'impulsion | 200 nous |
| Efficacité | ≤1% |
| Bar Pitch | 0,38 mm |
| Puissance par barre | 200 W |
| Nombre de barres | ~10 |
| Longueur d'onde centrale (25°C) | 808 nm |
| Largeur spectrale | 2 nm |
| Largeur spectrale FWHM | ≤4 nm |
| Largeur de puissance à 90 % | ≤6 nm |
| Divergence de l'axe rapide (FWHM) | 35 (typique) ° |
| Divergence de l'axe lent (FWHM) | 8 (typique) ° |
| Méthode de refroidissement | TE |
| Coefficient de température de longueur d'onde | ≤0,28 nm/°C |
| Courant de fonctionnement | ≤220 A |
| Courant de seuil | ≤25 A |
| Tension de fonctionnement | ≤2 V |
| Efficacité de pente par barre | ≥1,1 W/A |
| Efficacité de conversion | ≥55% |
| Température de fonctionnement | -45 à 70 °C |
| Température de stockage | -55 à 85 °C |
| Durée de vie | ≥1×10⁹ tirs |
Solutions laser à semi-conducteurs compactes et de haute puissance sur mesure
Nos modules laser à semi-conducteurs compacts, de pointe et haute puissance sont conçus pour une adaptabilité maximale. Personnalisables selon les spécifications de chaque client, notamment le nombre de barres, la puissance de sortie et la longueur d'onde, nos produits témoignent de notre engagement à fournir des solutions polyvalentes et innovantes. La modularité de ces unités leur permet d'être adaptées à une vaste gamme d'applications, répondant ainsi aux besoins d'une clientèle diversifiée. Notre volonté de développer des solutions personnalisées a permis la création de modules laser d'une densité de puissance inégalée, améliorant l'expérience utilisateur de manière inédite.
Date de publication : 25 décembre 2023