Présentation des matrices de diodes laser QCW nouvelle génération de Lumispot : une avancée majeure dans l'innovation des semi-conducteurs

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Les progrès des technologies laser à semi-conducteurs ont été transformateurs, entraînant des améliorations remarquables de leurs performances, de leur efficacité opérationnelle et de leur durabilité. Les versions haute puissance sont de plus en plus utilisées dans un large éventail d'applications, allant des applications commerciales dans la fabrication de lasers, les dispositifs médicaux thérapeutiques et les solutions d'affichage visuel aux communications stratégiques, terrestres et extraterrestres, et aux systèmes de ciblage avancés. Ces lasers sophistiqués sont à la pointe de plusieurs secteurs industriels de pointe et sont au cœur de la rivalité technologique mondiale entre les grandes nations.

Présentation de la nouvelle génération de piles de barres de diodes laser

Adoptant la tendance vers des appareils plus petits et plus efficaces, notre entreprise est fière de dévoiler lesérie refroidie par conductionLM-808-Q2000-F-G10-P0.38-0. Cette série représente une avancée majeure, intégrant des technologies de pointe en matière de collage par coalescence sous vide, de matériaux d'interface, de technologie de fusion et de gestion thermique dynamique pour créer des produits hautement intégrés, d'une efficacité remarquable et offrant un contrôle thermique supérieur pour une fiabilité durable et une durée de vie prolongée.

Pour répondre aux exigences croissantes de concentration de puissance liées à la miniaturisation généralisée de l'industrie, nous avons conçu l'unité pionnière LM-808-Q2000-F-G10-P0.38-0. Ce modèle révolutionnaire réduit considérablement le pas des barres conventionnelles, de 0,73 mm à 0,38 mm, comprimant ainsi considérablement la surface d'émission de la pile. Pouvant accueillir jusqu'à 10 barres, cette amélioration amplifie la puissance de sortie du dispositif à plus de 2 000 W, soit une augmentation de 92 % de la densité de puissance optique par rapport à ses prédécesseurs.

 

Conception modulaire

Notre modèle LM-808-Q2000-F-G10-P0.38-0 incarne une ingénierie méticuleuse, alliant fonctionnalité et compacité pour une polyvalence inégalée. Sa construction robuste et l'utilisation de composants haut de gamme garantissent un fonctionnement fiable avec une maintenance minimale, réduisant ainsi les interruptions d'exploitation et les coûts associés – un avantage crucial dans des secteurs comme la fabrication industrielle et la santé.

 

Pionnier dans les solutions de gestion thermique

Le LM-808-Q2000-F-G10-P0.38-0 utilise des matériaux thermoconducteurs de qualité supérieure qui s'alignent sur le coefficient de dilatation thermique (CTE) de la barre, garantissant une uniformité et une dispersion thermique exceptionnelle. Nous utilisons l'analyse par éléments finis pour prédire et gérer le paysage thermique du dispositif, permettant une régulation précise de la température grâce à une combinaison innovante de modélisation thermique transitoire et stationnaire.

 

Contrôle rigoureux des processus

Adhérant aux méthodes de soudage par brasage dur traditionnelles mais efficaces, nos protocoles de contrôle de processus méticuleux maintiennent une dissipation thermique optimale, préservant l'intégrité opérationnelle du produit ainsi que sa sécurité et sa longévité.

 

Spécifications du produit

Le modèle LM-808-Q2000-F-G10-P0.38-0 se caractérise par son facteur de forme réduit, son poids réduit, son efficacité de conversion électro-optique supérieure, sa fiabilité robuste et sa durée de vie opérationnelle prolongée.

Paramètre Spécification
Modèle de produit LM-808-Q2000-F-G10-P0.38-0
Mode de fonctionnement QCW
Fréquence d'impulsion ≤ 50 Hz
Largeur d'impulsion 200 dollars américains
Efficacité ≤1%
Hauteur de la barre 0,38 mm
Puissance par barre 200 W
Nombre de barres ~10
Longueur d'onde centrale (25°C) 808 nm
Largeur spectrale 2 nm
Largeur spectrale FWHM ≤ 4 nm
90 % de largeur de puissance ≤ 6 nm
Divergence d'axe rapide (FWHM) 35 (typique) °
Divergence d'axe lent (FWHM) 8 (typique) °
Méthode de refroidissement TE
Coefficient de température de longueur d'onde ≤ 0,28 nm/°C
Courant de fonctionnement ≤220 A
Courant de seuil ≤ 25 A
Tension de fonctionnement ≤ 2 V
Efficacité de la pente par barre ≥ 1,1 W/A
Efficacité de conversion ≥ 55 %
Température de fonctionnement -45~70 °C
Température de stockage -55~85 °C
Durée de vie ≥1×10⁹ coups

Solutions laser à semi-conducteurs compactes et haute puissance sur mesure

Nos stacks laser à semi-conducteurs avant-gardistes, compacts et haute puissance sont conçus pour une grande adaptabilité. Adaptables aux spécifications de chaque client, notamment en termes de nombre de barres, de puissance et de longueur d'onde, nos produits témoignent de notre engagement à fournir des solutions polyvalentes et innovantes. La structure modulaire de ces unités garantit leur adaptabilité à un large éventail d'utilisations, répondant ainsi aux besoins d'une clientèle diversifiée. Notre engagement à proposer des solutions personnalisées innovantes a permis de créer des produits à barres d'une densité de puissance inégalée, améliorant l'expérience utilisateur comme jamais auparavant.

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Date de publication : 25 décembre 2023